ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC015N06NM5LF2ATMA1 von Infineon und ISC015N06NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,21 $0,62
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V —
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C
RoHS-Status — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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