ISC060N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC060N06NM6ATMA1 von Infineon und ISZ072N06NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC060N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,33 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15.2 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Gehäuse PG-TDSON-8 (TDSON-8) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (60V generation) OptiMOS 6 trench MOSFET
Configuration Single N-Channel —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) -55C to +175C ( Tj max 175C )
Gate Drive Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] 3.3 V (typ)
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Verlustleistung (TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W

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