ISC0805NLSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC0805NLSATMA1 von Infineon und ISC011N03L5SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC0805NLSATMA1 ISC011N03L5SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,82 $0,47
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 71 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 74 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.3 V —
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V 16 nC —
Input Capacitance Ciss 2.2 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 23 pF —
Output Capacitance Coss 360 pF —
Gehäuse PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
Betriebstemperatur — -55 C to +175 C (TJ)
Technology — OptiMOS 5 trench MOSFET
Gate Drive — Logic-level compatible
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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