ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ028N03LF2SATMA1 von Infineon und ISZ033N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,68
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V 2.35 V max @ 30 uA
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Gehäuse PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TSDSON-8 FL (8-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction, typical) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg typ]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 109 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C

Datenblätter & Ressourcen

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