ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC052N03LF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ056N03LF2SATMA1 von Infineon und ISC052N03LF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ056N03LF2SATMA1 ISC052N03LF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,35
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series StrongIRFET 2 OptiMOS 5 30V
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55°C to +150°C
Gehäuse PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8-62 (TDSON EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 74 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.2 mΩ
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 52 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Polarity — N-Channel
Pin-Anzahl — 8
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

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