ITS4100SSJNXUMA1 vs BTS3011TEATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ITS4100SSJNXUMA1 von Infineon und BTS3011TEATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ITS4100SSJNXUMA1 BTS3011TEATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,51
Product Type High-Side Power Switch Smart Low-Side Power Switch
Topologie 1:1 N-Channel High-Side —
Maximum Continuous Load Current 2 A —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value] —
Operating Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VBB min/max] —
Overvoltage Protection (Load Dump) Yes —
Overload Protection Yes —
Current Limitation Yes —
Short Circuit Protection Yes —
Thermal Shutdown with Restart Yes —
Reverse Battery Protection Yes —
Fast Demagnetization of Inductive Loads Yes —
Status / Diagnostic Output Yes —
Gehäuse PG-DSO-8 (exposed pad) PG-TO252-5 (DPAK-5)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj range] —
RoHS-Status Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualification Yes (Automotive Grade) Grade 1 qualified
Number of Channels — 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) — 11 mΩ
Continuous Load Current — 10 A
Operating Voltage Range — 3 V to 28 V
Switch Technology — N-channel vertical power MOSFET
Input Type — Logic-level CMOS compatible
Anzahl der Pins — 5 (4 + Tab)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 °C to +150 °C
ESD Protection (HBM) — ±8 kV (output pin)
Integrated Protections — Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection
Diagnostic Output — Open-drain status feedback pin

Datenblätter & Ressourcen

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