ITS716GFUMA1 vs BTS3104SDRATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ITS716GFUMA1 von Infineon und BTS3104SDRATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ITS716GFUMA1 BTS3104SDRATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,22 $0,84
Product Type Smart High-Side Power Switch Low-side power switch (HITFET family)
Number of Channels 4 1
Ausgangskonfiguration High-side (N-Channel MOSFET) Low-side, N-channel
Continuous Current per Channel 2.3 A —
On-State Resistance (RON) per Channel [DATA_NEEDED: Ron typical value] —
Operating Voltage Range (Vbb) 5 V to 36 V —
Load Dump Tolerance Up to 45 V —
Standby Current [DATA_NEEDED: Iq standby typical] [DATA_NEEDED: standby current]
Input Logic Levels CMOS/TTL compatible, parallel interface —
Diagnostic Output Open-drain fault flag, one per channel —
Protection Features Overload, short-circuit, over-temperature, over-voltage, ESD Overtemperature, overcurrent, short-circuit, overvoltage, ESD
PWM Capability Up to 1 kHz —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +85 C (industrial grade) -40 C to +150 C
Gehäuse PG-DSO-20-32 (20-pin SOIC, exposed pad) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Wärmewiderstand, Sperrschicht-Umgebung [DATA_NEEDED: theta_JA value] —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (V_DS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) — 2 A
On-State Resistance (R_DS(on)) Typ — [DATA_NEEDED: R_DS(on) value]
Input Logic Level — CMOS-compatible (active-high)
Supply Voltage (V_IN) — [DATA_NEEDED: V_IN range]
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Halogenfrei — Yes

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