K3KL8L80CM-MGCT vs K3KL8L80DM-MGCU Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K3KL8L80CM-MGCT von Samsung Electronics und K3KL8L80DM-MGCU von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K3KL8L80CM-MGCT | K3KL8L80DM-MGCU |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 32 Gbit (4 GB) | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | x32 | 1G x 32 |
| Max Data Rate | 7500 Mbps | — |
| Clock Frequency | 3750 MHz | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.05 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 900 mV (500 mV low-power mode) | — |
| VDD2 Supply Voltage | 1.8 V | — |
| Gehäuse | 315-ball FBGA | FBGA-315 |
| Betriebstemperatur | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 backward-compatible) |
| Application Segment | Mobile, Automotive, On-device AI, PC | Mobile / Automotive / Edge AI |
| Power Efficiency | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) | — |
| RoHS-Status | Compliant (per JLCPCB listing) | unknown |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| Datenrate | — | [DATA_NEEDED: max data rate / speed grade] |
| Refresh | — | Self-refresh with per-bank refresh support |
| Power Management | — | Deep Sleep Mode (LPDDR5 feature set) |
| Configuration | — | Single-die, 32-bit bus |