K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WC-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BIWE von Samsung Electronics und K4A8G085WC-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $6,29 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | — |
| Gehäuse | 78-FBGA | 78-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (CL22) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Schnittstelle | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |