K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646D-BMH9 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BFMA von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BMH9 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1866 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| Versorgungsspannung | 1.5V | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | 0.8mm |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS-Latenz | Programmable | Programmable |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS-Status | — | Compliant |