K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BPH90 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BHMA von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BPH90 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ Aktiv
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K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BPH90
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,90 $7,60
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Speicherorganisation 256M x 16 32M x 16
Datenrate 1866 Mbps 2133 Mb/s per pin
Versorgungsspannung 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35V (DDR3L)
Gehäuse 96-ball FBGA 96FBGA
Betriebstemperatur -40°C to +95°C (TC) 0°C to +85°C
CAS-Latenz 13 (at 1866 Mbps) Programmable up to 14
Burst Length 8 and 4 8, 4 (with burst chop)
Number of Terminals 96 —
Lead-Free Yes Yes
Halogenfrei Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
Number of Banks — 8
On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes

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