K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646D-BYK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYK000 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BYK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,56 | $2,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (BYK) | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| Eigenschaften | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Versorgungsspannung | — | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Datenrate | — | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS-Latenz | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |