K4B4G1646I-BYK0 vs K4B4G1646D-BYK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646I-BYK0 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BYK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646I-BYK0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,75 | $2,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| RoHS | Compliant | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |