K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BCQK Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BIQK von Samsung Electronics und K4RAH086VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Aktiv
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K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BCQK
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,25 $41,02
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Speicherorganisation 2G x 8 2G x 8
Datenrate 4800 Mbps/pin 4800 Mbps (DDR5-4800)
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Gehäuse 82FBGA FBGA-82
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) On-die ECC
Schnittstelle DDR5 (CA reduced pin count) Parallel
Burst Length 16 / 32 BL32 (DDR5 standard)
Operating Mode DLL enabled —
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to 95C (commercial)
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Clock Frequency — 2400 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Montageart — Surface Mount
Memory Format — DRAM (volatile)
DLL Mode — DLL Enabled (datasheet timing basis)
Product Status — Active
Packaging — Tray

Datenblätter & Ressourcen

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