K4RAH165VP-BCWM vs PDRQLAKCDF12-00 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VP-BCWM von Samsung Electronics und PDRQLAKCDF12-00 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH165VP-BCWM K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VP-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VP-BCWM ✓ Aktiv
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH165VP-BCWM PDRQLAKCDF12-00
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $24,61 $13,60
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Speicherorganisation 1G x 16 1G x 16
Datenrate 5600 Mbps 7200 Mbps per pin
Versorgungsspannung 1.1 V —
Gehäuse FBGA-106 102-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Schnittstelle DDR5 (Double Data Rate 5) JEDEC DDR5
Generation DDR5, 16Gb B-die family DDR5 (improved from 6400 Mbps generation)
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Access Type Synchronous, DLL enabled mode —
Application Class Mobile, tablet, consumer electronics DRAM —
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Speed Bin — DDR5-7200
Operating Voltage — 1.1 V
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]
tCK / Cycle Time — [DATA_NEEDED: clock cycle time]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

Datenblätter & Ressourcen

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