K4RBH046VM-BCCP vs K4RCH046VM-2CLP Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RBH046VM-BCCP von Samsung Electronics und K4RCH046VM-2CLP von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RBH046VM-BCCP | K4RCH046VM-2CLP |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,60 | $10,10 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| Datenrate | 6400 Mbps | 6400 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Schnittstelle | Parallel | DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) |
| Gehäuse | 78-FBGA | 78-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0 C to +85 C | 0C to 85C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR5 | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample / Active | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Density | — | 32 Gb |
| Speicherorganisation | — | 4G x 4 |
| Configuration | — | x4 component |
| Family Speed Range (Samsung DDR5) | — | up to 7200 Mbps |
| Family Density Range (Samsung DDR5) | — | 16 Gb to 32 Gb |
| Power Efficiency vs DDR4 | — | Approx. 30% greater |
| Product Status (per distributor listing) | — | Sample / Active supply via distribution |