L9779WD-SPI-TR vs L9779WDM-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von L9779WD-SPI-TR von STMicroelectronics und L9779WDM-TR von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter L9779WD-SPI-TR L9779WDM-TR
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $14,50 $1,85
Product Type Multifunction Engine Management PMIC —
Technology BCD6S smart power —
Supply Voltage (VBAT) [DATA_NEEDED: VBAT operating range V] —
Output Channels Multiple low-side/high-side drivers (injectors, ignition, relays, lamps) —
Communication Interface SPI (daisy-chain capable) —
SPI Clock Frequency Up to 5 MHz —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40C to +150C
Gehäuse HiQUAD-64 (S-PQFP-G64) SOIC-20 (SO-20)
Pin-Anzahl 64 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Key Features Reverse-battery protection on KEY_ON, MRD output, freewheeling diodes, diagnostic feedback, fail-safe outputs —
Diagnostic Functions Open-load, short-to-battery, short-to-ground, over-temperature —
Qualification Automotive grade —
Tape and Reel Packaging Yes (suffix -TR) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Number of Channels — 4
Ausgangstyp — Low-Side Open-Drain
Supply Voltage Range — 4.5 V to 40 V
Maximum Output Current per Channel — 1 A
On-Resistance (Typical) — 0.5 ohm
Ruhestrom — 10 uA (standby)
PWM Frequency — Up to 20 kHz
Schnittstelle — SPI
Protection Features — Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit
MSL-Level — 3 (168 hours)
AEC-Q100 — Qualified

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