L9779WD-TR vs L9779WDM-TR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von L9779WD-TR von STMicroelectronics und L9779WDM-TR von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter L9779WD-TR L9779WDM-TR
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,40 $1,85
Funktion Multifunction IC for engine management —
Topologie Engine Management PMIC with MSC interface —
Process Technology BCD6S —
Supply Voltage (VBAT) Up to 18 V typ., load-dump tolerant —
Number of 5 V Sensor Supplies 5 (current-limited) —
Injector Low-Side Drivers 4 x low-side drivers —
Lamp/Relay Pre-Drivers 4 x low-side pre-drivers —
Communication Interface MSC (L9779WD/-TR); SPI (L9779WD-SPI/-SPI-TR) —
Watchdog Yes (integrated) —
KEY_ON Input Yes (internal pull-down, external reverse-battery diode) —
Charge Pump Yes (internal, for N-channel FET drive) —
Thermisches Abschalten Yes —
Gehäuse HiQUAD-64 (power package, exposed pad) SOIC-20 (SO-20)
Betriebstemperatur -40C to +125C (automotive AEC-Q100 grade) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Number of Channels — 4
Ausgangstyp — Low-Side Open-Drain
Supply Voltage Range — 4.5 V to 40 V
Maximum Output Current per Channel — 1 A
On-Resistance (Typical) — 0.5 ohm
Ruhestrom — 10 uA (standby)
PWM Frequency — Up to 20 kHz
Schnittstelle — SPI
Protection Features — Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit
Betriebstemperaturbereich — -40C to +150C
MSL-Level — 3 (168 hours)
AEC-Q100 — Qualified

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