M29DW323DB70N3E vs M29W320DT70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29DW323DB70N3E von Micron Technology und M29W320DT70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29DW323DB70N3E | M29W320DT70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,55 | $2,05 |
| Speichertyp | Flash - NOR | NOR Flash |
| Memory Format | FLASH | — |
| Technology | FLASH - NOR Memory IC | — |
| Density | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) | — |
| Memory Organization | 4M x 8 / 2M x 16 | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Versorgungsspannung | 3 V class (per manufacturer datasheet) | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gehäuse | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom (DB variant) | — |
| Byte/Word Organization Select | Yes (BYTE pin) | — |
| Applications Domain | Embedded code storage / XIP | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] | — |
| Speichergröße | — | 32 Mbit |
| Speicherorganisation | — | 4M x8 / 2M x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Current (typical) | — | 10 mA |
| Boot Block Architecture | — | Top boot (DT suffix) |
| Boot Region | — | 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block |
| Package Length | — | 18.4 mm |
| MSL-Level | — | 3 (168 Hours) |
| Peak Reflow Temperature Time | — | 30 s |
| Packaging | — | Tray |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |