M29F160FB55N3F2 vs M29F160FT55N3E2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F160FB55N3F2 von Micron Technology und M29F160FT55N3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F160FB55N3F2 M29F160FT55N3E2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Obsolete Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,60 $0,00
Speichertyp Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16777 kbits
Speicherorganisation 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits —
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Versorgungsspannung 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Betriebstemperatur -40 to +125 C -40C to +125C
Schnittstelle Parallel Parallel
Package Type 48-TSOP —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Termination Finish Lead-free (F2 suffix) —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Block Protection Hardware boot block protection —
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant (E suffix)
Speed Grade (from MPN) 55 (55 ns) —
Memory Organization — 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8)
Boot Block — Top Boot Block
Temperature Grade — Automotive Grade 3
Gehäuse — 48-TSOP I
Bus Width — 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin)
Program/Erase — Embedded program/erase controller (byte/word algorithms)
Factory Erase State — All bits erased to 1

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