M29F200FB55N3E2 vs M29F200FT55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F200FB55N3E2 von Micron Technology und M29F200FT55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ Abgekündigt
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F200FB55N3E2 M29F200FT55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Ende des Lebenszyklus Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,45 $0,00
Speichertyp NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Speicherorganisation 256K x 8 / 128K x 16 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 128 K 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Top Boot Block
Schnittstelle Parallel, 8/16-bit selectable Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 48-pin TSOP I —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC NOR —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray Tape & Reel (TR suffix)
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
Gehäuse — 48-pin TSOP
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern