M29F200FT55M3F2 vs M29F200FB55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F200FT55M3F2 von Micron Technology und M29F200FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Aktiv
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M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F200FT55M3F2 M29F200FB55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,85 $4,20
Speichertyp Parallel NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Speicherorganisation 256K x 8 / 128K x 16 256K x 8 bit / 128K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block (FB)
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
Gehäuse 44-pin SO (TSOP) 48-TSOP I
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR)
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 128 K (x16 mode)
Bits per Word — 16 bits
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded block erase controller
Schnittstelle — Parallel
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Datenblätter & Ressourcen

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