M29W320DB70N3F vs M29W640GB70N3E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W320DB70N3F von Micron Technology und M29W640GB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W320DB70N3F M29W320DB70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DB70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DB70N3F ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W640GB70N3E M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W320DB70N3F M29W640GB70N3E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Flash Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,30 $7,05
Speichertyp NOR Flash NOR Flash
Technology Parallel NOR Flash —
Density 32 Mbit (33554 kbits) 64 Mbit (8 MByte)
Speicherorganisation 2 M x 16 4M x16 / 8M x8
Bus Width x8/x16 selectable —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
VPP Fast Program Voltage 12 V —
Block Organization Non-uniform parameter blocks, boot block (DB = bottom boot block) —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP I
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle Parallel Parallel, asynchronous
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Variant (TR) Tape & Reel available (M29W320DB70N3F TR) —
Versorgungsspannung — 2.7 V to 3.6 V
Boot Block — Bottom boot block (GB)
Programming — Word/Byte program, block erase
Command Set — M29W family standard command set
Chipset Validation — N/A
FBGA Code — N/A
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Datenblätter & Ressourcen

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