M321R2GA3PB0-CWM vs M321R2GA3EB0-CWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M321R2GA3PB0-CWM von Samsung Electronics und M321R2GA3EB0-CWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M321R2GA3PB0-CWM | M321R2GA3EB0-CWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | EEPROM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $37,50 | $72,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Module Type | 288-pin RDIMM (ECC Registered) | 288-pin ECC Registered DIMM (RDIMM) |
| Density | 16 GB (2G x 72) | — |
| Speed | 5600 Mbps (PC5-44800) | 5600 MT/s (PC5-44800) |
| Operating Voltage | 1.1 V | 1.1 V |
| Rank x Organization | 1R x 8 | — |
| Component Composition | (2G x 8) x 10 FBGA DRAM | — |
| Anzahl der Pins | 288 | — |
| ECC | Registered with ECC | Yes (ECC Registered) |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency] | CL46 |
| Product Status | Mass Production | — |
| Form Factor | EC8 RDIMM | DIMM (server RDIMM) |
| Compatible Platforms | Servers and workstations with DDR5 RDIMM support (e.g. Dell PowerEdge R660) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature] |
| Capacity | — | 16 GB (2Gx72) |
| Rank / Organization | — | 1Rx8 (single rank, x8) |
| DRAM Configuration | — | 10 FBGA 2Gx8 DRAM devices |
| Pin-Anzahl | — | 288 |
| Application Class | — | Server / Data Center |
| Standard Compliance | — | JEDEC DDR5 RDIMM |
| Height | — | [DATA_NEEDED: module height] |