M321R4GA3EB0-CWM vs M321R4GA3EB2-CCP Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M321R4GA3EB0-CWM von Samsung Electronics und M321R4GA3EB2-CCP von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM ✓ Aktiv
Samsung Electronics
M321R4GA3EB2-CCP M321R4GA3EB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung | Server

M321R4GA3EB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung | Server

M321R4GA3EB2-CCP ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB2-CCP
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs EEPROM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1.489,00 $259,00
Capacity 32 GB 32 GB (1 x 32 GB)
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Form Factor 288-pin DIMM 288-pin DIMM
Module Type ECC Registered DIMM (RDIMM) Registered DIMM (RDIMM)
Datenrate 5600 MT/s (PC5-44800) 6400 MT/s
CAS-Latenz CL46 CL52
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Rank Configuration 2Rx8 (Dual Rank) —
Speicherorganisation 4Gx72 4G x 72 (with ECC)
DRAM Composition 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM —
ECC Yes (Registered with ECC) Yes (Registered ECC)
Configuration 1 x 32 GB —
Bandwidth Class PC5-44800 (44800 MB/s) —
Application Segment Server / Datacenter —
Marke Samsung Electronics —
GTIN / EAN 5715328154490 —
PC Rating — PC5-51200 (PC5-51200R)
Ranks — Dual Rank (2R)
DRAM Configuration — 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM
Peak Bandwidth — 51.2 GB/s per module
Compliance — JEDEC PC5-51200R compliant
Platform — Intel / AMD server platforms (DDR5 RDIMM)
Application — Server memory
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Module Height — [DATA_NEEDED: module height]

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