MC9S08QG84CFFE vs MC68HC908QT1CFQ Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MC9S08QG84CFFE von NXP Semiconductors und MC68HC908QT1CFQ von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MC9S08QG84CFFE MC9S08QG84CFFE - 8KB Flash 8-bit MCU 20MHz QFN-16 | NXP

MC9S08QG84CFFE - 8KB Flash 8-bit MCU 20MHz QFN-16 | NXP

MC9S08QG84CFFE ✓ Aktiv
NXP Semiconductors
MC68HC908QT1CFQ MC68HC908QT1CFQ - 8-Bit 8MHz HC08 MCU 1.5KB Flash | NXP

MC68HC908QT1CFQ - 8-Bit 8MHz HC08 MCU 1.5KB Flash | NXP

MC68HC908QT1CFQ ⚠ Letzte Bestellmöglichkeit

Spezifikationsvergleich

Parameter MC9S08QG84CFFE MC68HC908QT1CFQ
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie Microcontrollers Microcontrollers
Lebenszyklusstatus Aktiv Letzte Kaufgelegenheit
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,21 $1,40
Core Processor S08 (HCS08) 8-bit CISC —
Core Size 8-bit —
Speed 20 MHz —
Flash Memory 8 KB (8K x 8) —
Versorgungsspannung 2.5 V / 3.3 V —
Gehäuse 16-QFN-EP (5x5 mm), Exposed Pad 8-DFN-EP (4x4 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Architecture S08 —
Instruction Set CISC —
Peripherals ADC, POR, PWM, WDT —
RAM Size [DATA_NEEDED: RAM size] —
EEPROM Size [DATA_NEEDED: EEPROM size] —
Number of I/O [DATA_NEEDED: number of I/O] —
Data Converters A/D 8x10-bit —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C (industrial)
RoHS-Status RoHS3 (per Mouser ROO listing) Compliant (lead-free 'CFQ' suffix)
Moisture Sensitivity [DATA_NEEDED: MSL level] —
Pin Pitch 0.5 mm (QFN-16 class) —
Family — M68HC08 (HC08)
Core — 8-bit CISC, Von Neumann architecture
CPU Core — HC08
Program Memory — 1.5 KB FLASH (1K user + 512B monitor)
RAM — 128 bytes
Maximale Taktfrequenz — 8 MHz internal bus
Operating Voltage — 2.7 V to 5.5 V
I/O Pins — 6 GPIO
Timers — 1 x 16-bit, 2-channel with PWM
On-Chip Analog Comparator — Yes
ADC — None
MSL-Level — 1 (unlimited at <=30C/85% RH)
FLASH Endurance — 100 program/erase cycles min (typ 1000)
On-Chip Debug — Background Debug Mode (BDM)

Datenblätter & Ressourcen

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