MPC8548EVTAUJB vs MPC8543EVTANGD Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MPC8548EVTAUJB von NXP Semiconductors und MPC8543EVTANGD von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MPC8548EVTAUJB MPC8548EVTAUJB - PowerQUICC III MPU 1.333GHz 783-FCBGA | NXP

MPC8548EVTAUJB - PowerQUICC III MPU 1.333GHz 783-FCBGA | NXP

MPC8548EVTAUJB Obsolete
NXP Semiconductors
MPC8543EVTANGD MPC8543EVTANGD - PowerQUICC III e500 SoC, 800MHz, 783-FCPBGA | NXP

MPC8543EVTANGD - PowerQUICC III e500 SoC, 800MHz, 783-FCPBGA | NXP

MPC8543EVTANGD ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MPC8548EVTAUJB MPC8543EVTANGD
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie Microcontrollers Microcontrollers
Lebenszyklusstatus Obsolete Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $195,00 $92,50
Core Architecture PowerPC e500 Power Architecture (32-bit)
Number of Cores 1 1
Datenbusbreite 32-bit —
Maximum Core Frequency 1.333 GHz —
Series MPC85xx (PowerQUICC III) PowerQUICC III
Core Voltage 1.1 V —
Gehäuse / Bauform 783-BBGA, FCBGA (29x29 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0C to +105C [DATA_NEEDED: exact TJ/TA limits] —
L2 Cache [DATA_NEEDED: L2 cache size] —
Instruction Set PowerPC —
RoHS-Status Compliant (per manufacturer product page) Compliant
Lead-Free Yes (per datasheet ordering information) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Integrated Peripherals Gigabit Ethernet MACs, PCI Express, RapidIO, DDR controller (family-typical) —
Core Processor — PowerPC e500
Core Frequency — 800 MHz
Betriebstemperaturbereich — 0 C to +105 C
Gehäuse — 783-FCPBGA (29x29 mm)
Ethernet — 2x 10/100/1000 (SGMII)
PCI Express — 2x PCIe interfaces
PCI — 32-bit / 66 MHz
Serial RapidIO — Yes (endpoint)
Memory Controller — DDR2 SDRAM with ECC
Security Engine (SEC) — DES/3DES/AES/SHA-1/MD5/ARC4
Supply Voltage (core/IO/DDR) — 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Process Technology — 90 nm (per FindIC listing)

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