MPVZ7025DP vs MPXV5010DP Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MPVZ7025DP von NXP Semiconductors und MPXV5010DP von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MPVZ7025DP MPXV5010DP
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Lebenszyklusstatus Obsolete Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $20,09 $8,10
Operating Pressure Range ±3.63 PSI (±25 kPa) 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Pressure Type Differential Differential
Ausgangstyp Analog Voltage Analog, Ratiometric
Ausgangsspannungsbereich 0.2 V to 4.7 V 0.2 V to 4.7 V
Versorgungsspannung 5 V typical [DATA_NEEDED: supply voltage range] 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V)
Port Size Male, 0.13 inch (3.3 mm) OD Tube, Dual —
Port Style Dual Ports, Same Side Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side
Gehäuse / Bauform 8-BSOP (0.475 inch / 12.06 mm Width) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
Accuracy [DATA_NEEDED: total accuracy over temperature] 5 % (over 0 C to 85 C)
Sensor Technology Piezoresistive (MEMS silicon) —
Signal Conditioning On-chip, calibrated, temperature compensated —
Output Span 4.5 V nominal (0.2 V to 4.7 V) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Manufacturer NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor) —
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: maximum overload]
Response Time — 1 ms typical
Compensated Temperature — 0 C to 85 C
Gehäuse — 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports
Technology — Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned

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