MPX2200D vs MPX2200AP Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MPX2200D von STMicroelectronics und MPX2200AP von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter MPX2200D MPX2200AP
Marke STMicroelectronics NXP Semiconductors
Kategorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Lebenszyklusstatus Aktiv NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,40 $8,40
Pressure Type Differential Absolute
Operating Pressure 29.01 PSI (200 kPa) —
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] —
Ausgangstyp Analog Wheatstone Bridge Analog voltage (Wheatstone bridge)
Ausgangsspannung 0 mV to 40 mV at 200 kPa, 10 V supply —
Versorgungsspannung 10 V typical (16 V maximum) —
Versorgungsstrom 6 mA typical —
Linearity ±0.25% (typical) —
Pressure Hysteresis ±1% maximum —
Temperature Compensation 0C to +85C (on-chip) —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Port Size Female, 0.136 in (3.4544 mm), barbed —
Gehäuse / Bauform 4-SIP Module (Case 344-15) —
Termination Style Through-Hole PCB —
Montageart Through-Hole Through-Hole
Technology Silicon piezoresistive MEMS Silicon piezoresistive (on-chip temperature compensated)
RoHS-Status Compliant Check distributor listing - legacy part
Operating Pressure Range — 0 kPa to 200 kPa (0 to 29.01 PSI)
Ausgangsspannungsbereich — 0 mV to 40 mV (at 10 V excitation)
Sensitivity — 0.2 mV/V typical
Excitation Voltage — 10 V (max 16 V)
Pressure Port — Axial male tube 0.19 inch (4.93 mm)
Gehäuse — 4-SIP Module (through-hole)
Compensated Temperature — 0C to 85C
Sensor Grade — A grade (high accuracy)
Non-Linearity — [DATA_NEEDED: Non-Linearity]

Datenblätter & Ressourcen

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