MPXV5010DP vs MPXV5010GP Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MPXV5010DP von NXP Semiconductors und MPXV5010GP von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MPXV5010DP MPXV5010GP
Marke NXP Semiconductors STMicroelectronics
Kategorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,10 $9,95
Pressure Type Differential Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) —
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload] —
Ausgangstyp Analog, Ratiometric Analog Voltage
Ausgangsspannungsbereich 0.2 V to 4.7 V —
Versorgungsspannung 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V) 5 V
Accuracy 5 % (over 0 C to 85 C) [DATA_NEEDED: accuracy %FS]
Response Time 1 ms typical —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C 0 C to +85 C
Compensated Temperature 0 C to 85 C —
Port Style Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side Male - 3.17 mm (0.13 in) Tube, Side Port
Gehäuse 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports 8-SMD, Gull Wing, Side Port
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned —
RoHS-Status Compliant —
Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI)
Operating Pressure Max — 10 kPa
Ausgangsspannung — 0.2 V to 4.7 V
Versorgungsstrom — 5 mA typical
Sensitivity — 450 mV/kPa (approx, 0.2-4.7 V span)
Sensor Technology — Piezoresistive (MEMS silicon)
Signal Conditioning — On-chip, temperature compensated, calibrated
Output Ratiometric — Yes (output scales with VDD)

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