MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16LY-075:E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16JY-075E von Micron Technology und MT40A512M16LY-075:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16JY-075E | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $30,50 | $5,80 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.33 GHz |
| Datenrate | 2666 MT/s | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Eigenschaften | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| CAS-Latenz | — | 19 |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| RoHS | — | Compliant |