MT40A512M16JY-07EAIT:B vs MT40A512M16TB-062E:J Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16JY-07EAIT:B von Micron Technology und MT40A512M16TB-062E:J von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Aktiv
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MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16TB-062E:J
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,10 $8,10
Speichertyp DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Speichergröße 8 Gbit 8Gbit (512M x 16)
Speicherorganisation 512M x 16 —
Clock Frequency 1.33 GHz 1.6 GHz
Datenrate 2666 MT/s —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Schnittstelle Parallel —
Gehäuse 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Betriebstemperaturbereich -40°C to +105°C (AIT grade) 0°C to 95°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Access Time — 19 ns
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks each)
Prefetch Architecture — 8n-bit
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Montageart — Surface Mount

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