MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4-75BIN Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16JY-07EAIT:B von Micron Technology und AS4C512M16D4-75BIN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ AktivAlliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16JY-07EAIT:B | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $8,99 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.333 GHz |
| Datenrate | 2666 MT/s | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| Schnittstelle | Parallel | POD |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (7.5x13) |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +105°C (AIT grade) | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | — | -40°C to +95°C |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |