MT40A512M16LY-075 vs MT40A512M16TB-062E:R Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16LY-075 von Micron Technology und MT40A512M16TB-062E:R von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Aktiv
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MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16LY-075 MT40A512M16TB-062E:R
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $27,89 $60,00
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 16 —
Clock Speed 1.33 GHz —
Datenrate DDR4-2666 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C —
Montageart Surface Mount —
Speichergröße — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1600 MHz
CAS-Latenz — 22
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Betriebstemperatur — 0°C to +95°C
Schnittstelle — Parallel
Datenbusbreite — 16 bits
Refresh Time — 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
Eigenschaften — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
RoHS-Status — Compliant

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