MT40A512M16TB-062E vs IS43QR16512B-062AABL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16TB-062E von Micron Technology und IS43QR16512B-062AABL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ Aktiv
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16TB-062E IS43QR16512B-062AABL
Marke Micron Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $60,00 $8,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Datenrate 1600 MHz (DDR4-3200) 3200 MT/s
Supply Voltage - VDD/VDDQ 1.2V ±60mV —
Supply Voltage - VPP 2.5V, -125mV, +250mV —
tRCD 19 ns 19 ns
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) —
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-TWBGA (7.5x13.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Eigenschaften Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS-Status Compliant —
REACH Status Compliant —
Versorgungsspannung — 1.2 V
CAS-Latenz — 22-22-22
Betriebstemperatur — 0°C to +95°C (case)
RoHS — Compliant
Anzahl der Pins — 96
Clock Frequency — 1.6 GHz
Datenbusbreite — 16 bit

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