MT41K128M16JT-125:K vs K4B4G1646E-BYK000 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K128M16JT-125:K von Micron Technology und K4B4G1646E-BYK000 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K128M16JT-125:K K4B4G1646E-BYK000
Marke Micron Technology Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,75 $0,56
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Capacity 2 Gbit —
Speicherorganisation 128M x 16 256M x 16
Schnittstelle Parallel Parallel
Clock Frequency 800 MHz (1600 MT/s data rate) 800 MHz
Access Time (Clock Cycle) 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3)
Prefetch Architecture 8n-bit —
Gehäuse 96-FBGA (8x14 mm) 96-FBGA (BYK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Self Refresh Auto self-refresh —
Write Leveling Supported —
Data Mask Supported —
On-Die Termination Dynamic ODT supported —
Asynchronous Reset Supported —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speichergröße — 4 Gbit
Speed Grade — DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle)
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data]
Number of Banks — [DATA_NEEDED: bank count]
Die Process — Samsung E-die
Eigenschaften — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask
Access Time — 1.25 ns

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