MT41K128M16JT-125:K vs MT41K128M16JT-125-ITK Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K128M16JT-125:K von Micron Technology und MT41K128M16JT-125-ITK von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K128M16JT-125:K MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

MT41K128M16JT-125:K - 2Gb DDR3L SDRAM 1600MT/s | Micron Technology

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MT41K128M16JT-125-ITK MT41K128M16JT-125-ITK - 2Gb DDR3L SDRAM 1.35V | Micron

MT41K128M16JT-125-ITK - 2Gb DDR3L SDRAM 1.35V | Micron

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Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K128M16JT-125:K MT41K128M16JT-125-ITK
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,75 $10,60
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Memory Capacity 2 Gbit —
Speicherorganisation 128M x 16 —
Schnittstelle Parallel —
Clock Frequency 800 MHz (1600 MT/s data rate) 800 MHz (DDR3L-1600)
Access Time (Clock Cycle) 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Prefetch Architecture 8n-bit —
Gehäuse 96-FBGA (8x14 mm) 96-FBGA (8x14 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0C to +95C -40C to +95C
Self Refresh Auto self-refresh —
Write Leveling Supported Yes
Data Mask Supported —
On-Die Termination Dynamic ODT supported —
Asynchronous Reset Supported Yes
RoHS-Status Compliant Compliant
Speichergröße — 2 Gbit
Memory Organization — 128M x 16
Memory Interface — Parallel
Access Time — 13.75 ns
Versorgungsspannung — 1.35 V (1.5 V DDR3-compatible mode supported)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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