MT41K256M16HA-107G:E vs K4B4G1646D-BYH9 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-107G:E von Micron Technology und K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107G:E ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16HA-107G:E | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,00 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | — |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35 V |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (9x14 mm) | 96FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 ~ 85 °C |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency] | Programmable |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Datenrate | — | 1333 Mbps |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |