MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63CFR-H9A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125 von Micron Technology und H5TC4G63CFR-H9A von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125 H5TC4G63CFR-H9A
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,36 $6,50
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Datenbusbreite 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Versorgungsspannung 1.35 V —
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball TFBGA
Anzahl der Pins 96 —
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS-Latenz 11 [DATA_NEEDED: CAS latency]
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Speicherorganisation — 256M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Halogenfrei — Yes
Datenrate — [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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