NCV2904DR2G vs LM358DR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NCV2904DR2G von onsemi und LM358DR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter NCV2904DR2G LM358DR
Marke onsemi Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,19 $0,05
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits 2 2
Supply Voltage (Single Supply) 3.0 V to 26 V —
Supply Voltage (Split Supply) +/-1.5 V to +/-13 V —
Common Mode Input Range Extends to ground/VEE —
Output Short circuit protected —
Input Stage True differential input —
Compensation Internally compensated —
ESD Protection ESD clamps on inputs —
Input Bias Current Low input bias current —
Power Drain Low power drain —
Gehäuse SOIC-8 (Case 751, D suffix) SOIC-8 (D)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification NCV automotive grade —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gain Bandwidth Product — 700 kHz
Slew Rate — 0.3 V/µs
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Supply Current (per channel) — 0.7 mA (typ)
Input Offset Voltage — 2 mV (typ), 7 mV (max)
Common-Mode Input Range — Extends to ground (V-)
Output Current — 20 mA (typ, short-circuit protected)
Minimum Load Resistance — 2 kΩ
Betriebstemperatur — 0°C to +70°C
Internal Compensation — Yes (unity-gain stable)

Datenblätter & Ressourcen

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