OPA211ID vs OPA828IDR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von OPA211ID von Texas Instruments und OPA828IDR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
OPA211ID OPA211ID - 1.1nV/Hz Precision Op Amp 80MHz SOIC-8 | TI

OPA211ID - 1.1nV/Hz Precision Op Amp 80MHz SOIC-8 | TI

OPA211ID ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter OPA211ID OPA828IDR
Marke Texas Instruments Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,30 $1,75
Rauschdichte 1.1 nV/rtHz —
Gain-Bandwidth Product 80 MHz —
Slew Rate 20 V/us 150 V/us
Ruhestrom 3.6 mA per amplifier —
Offset Voltage 50 uV typical —
Input Bias Current 60 nA 1 pA (typical)
THD+N 0.000015% —
Ausgangstyp Rail-to-Rail Output Rail-to-rail output (RRO)
Stability Unity-Gain Stable —
Kanäle 1 —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 8-SOIC (D) 8-SOIC (SO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: supply voltage range] ±4 V to ±18 V (36 V total)
RoHS-Status Compliant —
Amplifier Type — JFET-input operational amplifier
Number of Channels — 1
Gain Bandwidth Product — 45 MHz
Input Voltage Noise Density — 4 nV/√Hz at 1 kHz
Input Voltage Noise (0.1 Hz to 10 Hz) — 60 nVRMS
Input Offset Voltage — 50 uV
Input Offset Voltage Drift — 0.45 uV/C
Input Type — MUX-friendly JFET inputs
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Predecessor Parts — OPA627, OPA827

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