OPA627 vs OPA828 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von OPA627 von Texas Instruments und OPA828 von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
OPA828 OPA828 - 45MHz 36V JFET Op Amp, 4nV Noise | TI

OPA828 - 45MHz 36V JFET Op Amp, 4nV Noise | TI

OPA828 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter OPA627 OPA828
Marke Texas Instruments Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,90 $3,35
Slew Rate 55 V/µs 150 V/us
Maximum Offset Voltage 100 µV —
Maximum Drift 0.8 µV/°C —
Input Bias Current 5 pA 1 pA (typical)
Noise at 10 kHz 4.5 nV/√Hz —
Settling Time (0.01%) [DATA_NEEDED: settling time value] —
Supply Voltage Range 9 V to 36 V (±4.5 V to ±18 V) +/-4 V to 36 V (8 V to 36 V single supply)
Operating Temperature Range (P and D packages) -25°C to 85°C —
Operating Temperature Range (LMC package) -55°C to 125°C —
Package Options 8-pin DIP, SOIC, and others —
Unity-Gain Stable Yes —
Input Type JFET MUX-friendly JFET inputs
Number of Circuits 1 —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Amplifier Type Precision, High-Speed JFET-Input Operational Amplifier (RRO)
Kanäle — 1
Gain Bandwidth Product — 45 MHz
Input Voltage Noise Density — 4 nV/Hz at 1 kHz
Input Voltage Noise (0.1 Hz to 10 Hz) — 60 nVRMS
Input Offset Voltage — 50 uV
Input Offset Drift — 0.45 uV/C
Ausgangstyp — Rail-to-Rail Output (RRO)
Gehäuse — SOIC-8 (D) / HVSSOP-8 (DGN)
Montageart — Surface Mount
Betriebstemperatur — -40C to +125C
Ruhestrom — [DATA_NEEDED: quiescent current per amplifier]
Successor To — OPA627 / OPA827

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern