SRVBS260NT3G vs NRVBS260NT3G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von SRVBS260NT3G von onsemi und NRVBS260NT3G von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter SRVBS260NT3G NRVBS260NT3G
Marke onsemi onsemi
Kategorie Diodes Diodes
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,11 $0,13
Manufacturer onsemi onsemi
Product Type Schottky Power Rectifier (single diode) Schottky Power Rectifier
Gehäuse SMB (surface mount, C-bend leads) SMB (DO-214AA)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Reverse Test Voltage (VRRM) 60 V —
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) 2 A —
Maximum Forward Voltage (VF) 0.63 V at 2 A —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +125 C —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Terminal Form C BEND —
Terminal Position DUAL —
Number of Terminals 2 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Finish Matte Tin —
RoHS-Status Compliant Compliant (ROHS3)
Diode Technology Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact) —
Peak Repetitive Reverse Voltage (VRRM) — 60 V
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Forward Voltage Drop (VF) at 2 A — 630 mV
Peak Forward Surge Current (IFSM) — [DATA_NEEDED: IFSM value]
Reverse Leakage Current (IR) at VRRM — [DATA_NEEDED: IR value]
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 C to +150 C (est. industry-standard for SMB Schottky)
Construction — Epitaxial with oxide passivation and metal overlay contact
Configuration — Single diode
Polarity — Cathode band
MSL-Level — 1 (per third-party listing)
REACH Status — Unaffected (per third-party listing)

Datenblätter & Ressourcen

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