TLP182(GR-TPL vs TLP183(GB-TPL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLP182(GR-TPL von Toshiba und TLP183(GB-TPL von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLP182(GR-TPL TLP183(GB-TPL
Marke Toshiba Toshiba
Kategorie Optocouplers Optocouplers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,16 $0,12
Product Type Phototransistor Output Optocoupler Phototransistor Output Optocoupler
Input Configuration AC (two antiparallel InGaAs IR LEDs) —
Ausgangskonfiguration Single NPN Phototransistor, 1 Channel —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 80 V (min) 80 V max
CTR Rank (GR) 100% to 300% (IF = 5 mA, VCE = 5 V) —
CTR Min (low current) 50% (IF = +/-0.5 mA, VCE = 5 V) —
Betriebstemperaturbereich -55C to +125C —
Gehäuse 6-SO (4-lead SO6), surface mount 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Anzahl der Pins 6 (4 functional leads) —
Tape and Reel Orientation L-direction (TPL) —
RoHS Compliance Yes (E suffix) —
MSL-Level 1 (Unlimited) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Input LED Material InGaAs infrared —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Number of Channels — 1
Input Type — DC (InGaAs Infrared LED)
Ausgangstyp — Phototransistor (BJT)
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
Kollektorstrom (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Betriebstemperatur — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
RoHS-Status — Compliant
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

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