TLP183(GB-TPL,E vs TLP183(GB-TPLE(T Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLP183(GB-TPL,E von Toshiba und TLP183(GB-TPLE(T von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLP183(GB-TPL,E TLP183(GB-TPLE(T
Marke Toshiba Toshiba
Kategorie Optocouplers Optocouplers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,09 $0,22
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage (rms) 3750 Vrms —
Gehäuse 6-SOP (4-lead SO6), surface mount SO6 (4 effective pins)
CTR Rank GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V) —
Forward Current (IF) max 50 mA 50 mA
Reverse Voltage (VR) max 5 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) max 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) max 7 V —
Collector Current (IC) max 50 mA —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +125°C —
Input LED Type GaAs infrared emitting diode —
Output Transistor Type Silicon NPN phototransistor —
Montageart Surface Mount (SMT) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TPL suffix) —
RoHS-Status RoHS compatible Compliant
Applications PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine —
Isolation Voltage — 3750 Vrms
Ausgangstyp — Phototransistor (NPN)
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) — 80 V (min)
Forward Voltage (VF) typ — 1.25 V at IF = 10 mA
CTR Bin (GB) — 100% to 300% at IF = 5 mA, VCE = 5 V
Betriebstemperatur — -55 °C to +125 °C
Input Type — DC
Rise Time (ton) typ — [DATA_NEEDED: rise/fall time in microseconds]
Fall Time (toff) typ — [DATA_NEEDED: fall time in microseconds]
Power Dissipation (Output) max — [DATA_NEEDED: Pc max in mW]
MSL-Level — 1
Lead-Free — Yes

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