TLP183(GB-TPL vs TLP183(GR) Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLP183(GB-TPL von Toshiba und TLP183(GR) von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLP183(GB-TPL TLP183(GR)
Marke Toshiba Toshiba
Kategorie Optocouplers Optocouplers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,20
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage —
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Number of Channels 1 1
Input Type DC (InGaAs Infrared LED) —
Ausgangstyp Phototransistor (BJT) Phototransistor (DC input, transistor output)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms (minimum)
Gehäuse 6-SO (SO6, 4-pin functional) SO6 (4-pin surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Forward Current (IF) 50 mA max 50 mA maximum
Reverse Voltage (VR) 6 V max —
Forward Voltage (VF) 1.25 V typ at IF=10 mA [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA]
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 80 V max 80 V minimum
Emitter-Collector Voltage (VECO) 7 V max 6 V minimum
Kollektorstrom (Ic) 50 mA max —
CTR (Current Transfer Ratio) 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank —
Betriebstemperatur -55 C to +125 C -55C to +125C
Storage Temperature -55 C to +150 C —
CTR Rank GB (50-600% range) —
Rise Time (tr) 5 us typ —
Fall Time (tf) 5 us typ —
RoHS-Status Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging TPL (L direction, 3000 pcs/reel) —
Packing Option Code E (RoHS) —
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA)
Collector Current — 50 mA maximum
Switching Time (tR, tF) — 2 us typical
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
CTR Bin — GR

Datenblätter & Ressourcen

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