TLP183(GR) vs TLP182GB-TPL.E(T Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von TLP183(GR) von Toshiba und TLP182GB-TPL.E(T von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Toshiba
TLP182GB-TPL.E(T - 3750Vrms AC Input Phototransistor Optocoupler | Toshiba
TLP182GB-TPL.E(T ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | TLP183(GR) | TLP182GB-TPL.E(T |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | Toshiba |
| Kategorie | Optocouplers | Optocouplers |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,20 | $0,29 |
| Ausgangstyp | Phototransistor (DC input, transistor output) | Phototransistor (NPN) |
| Number of Channels | 1 | 1 |
| Isolation Voltage | 3750 Vrms (minimum) | 3750 Vrms |
| Current Transfer Ratio (CTR) | 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA) | 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V |
| Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) | 80 V minimum | 80 V |
| Emitter-Collector Voltage (VECO) | 6 V minimum | — |
| Collector Current | 50 mA maximum | — |
| Forward Current (IF) | 50 mA maximum | — |
| Forward Voltage (VF) | [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA] | — |
| Switching Time (tR, tF) | 2 us typical | — |
| Betriebstemperatur | -55C to +125C | — |
| Gehäuse | SO6 (4-pin surface mount) | 4-Lead SO6 (SMD) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| CTR Bin | GR | — |
| Part Number | — | TLP182GB-TPL.E(T |
| Input Type | — | AC (dual antiparallel LEDs) |
| Kollektorstrom (Ic) | — | 50 mA |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | — | 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA |
| Turn-On Time (ton) | — | 2 us |
| Turn-Off Time (toff) | — | 3 us |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55 degC to +125 degC |
| Input Forward Current (IF) | — | 50 mA max |
| Input Reverse Voltage (VR) | — | 5 V |
| Power Dissipation (PC) | — | 200 mW |