TLP183(GB-TPL vs TLP127(TPL,U,F) Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLP183(GB-TPL von Toshiba und TLP127(TPL,U,F) von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLP183(GB-TPL TLP127(TPL,U,F)
Marke Toshiba Toshiba
Kategorie Optocouplers Optocouplers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,12 $0,38
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage —
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Number of Channels 1 1
Input Type DC (InGaAs Infrared LED) DC (GaAs IR LED)
Ausgangstyp Phototransistor (BJT) DC Darlington Phototransistor
Isolation Voltage 3750 Vrms —
Gehäuse 6-SO (SO6, 4-pin functional) MFSOP6 / SO6 Mini-Flat, 4 lead
Montageart Surface Mount Surface Mount
Forward Current (IF) 50 mA max —
Reverse Voltage (VR) 6 V max —
Forward Voltage (VF) 1.25 V typ at IF=10 mA —
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 80 V max —
Emitter-Collector Voltage (VECO) 7 V max —
Kollektorstrom (Ic) 50 mA max —
CTR (Current Transfer Ratio) 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank —
Betriebstemperatur -55 C to +125 C -55 C to +100 C
Storage Temperature -55 C to +150 C —
CTR Rank GB (50-600% range) —
Rise Time (tr) 5 us typ —
Fall Time (tf) 5 us typ —
RoHS-Status Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging TPL (L direction, 3000 pcs/reel) —
Packing Option Code E (RoHS) —
Forward Voltage VF (typ) — 1.15 V at IF=10 mA
Current Transfer Ratio (CTR) min — 1000 % at IF=10 mA, VCE=2 V
Collector-Emitter Voltage VCEO (max) — 300 V
Collector Current IC (max) — 150 mA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) — 1.2 V at IC=100 mA, IF=10 mA
Turn-On Time ton — 15 us at IF=10 mA, RL=100 ohm
Turn-Off Time toff — 40 us at IF=10 mA, RL=100 ohm
Isolation Voltage (rms) — 2500 Vrms

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