TLP183(TPL vs TLP183GB(GB-TPL.E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLP183(TPL von Toshiba und TLP183GB(GB-TPL.E von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLP183(TPL TLP183GB(GB-TPL.E
Marke Toshiba Toshiba
Kategorie Optocouplers Surge Protectors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,19 $0,13
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
Ausgangstyp NPN Phototransistor DC, Phototransistor (single channel)
Input Type DC (GaAs Infrared LED) DC
Number of Channels 1 1
Gehäuse 6-SO / SO6 (4 active pins) 4-pin SO6 (6-SOP surface mount)
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 80 V 80 V
Emitter-Collector Voltage (VECO) 7 V —
Forward Current (IF) Max 50 mA —
Forward Voltage (VF) Typ 1.25 V at IF = 10 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) Min 50 % at IF = 5 mA, VCE = 5 V —
Rise/Fall Time (typ) 4 us (ton/toff) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +125 C -55C to +110C
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Type — Phototransistor Optocoupler (Optoisolator)
Maximum Forward Current (IF) — 50 mA
Maximum Forward Voltage (VF) — 1.4 V
Maximum Collector Current — 50 mA
CTR Rank — GB (100% to 300% at IF=5 mA, VCE=5 V)
Safety Standards — UL, cUL, VDE, CQC certified (per Toshiba datasheet)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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