ULN2803APG vs ULN2803ADWR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ULN2803APG von Toshiba und ULN2803ADWR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
ULN2803ADWR ULN2803ADWR - 8-Channel 50V 500mA Darlington Array | TI

ULN2803ADWR - 8-Channel 50V 500mA Darlington Array | TI

ULN2803ADWR ⚠ Letzte Bestellmöglichkeit

Spezifikationsvergleich

Parameter ULN2803APG ULN2803ADWR
Marke Toshiba Texas Instruments
Kategorie Transistors Transistors
Lebenszyklusstatus Aktiv Letzte Kaufgelegenheit
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $0,38
Number of Channels 8 8
Transistortyp 8x NPN Darlington Pairs —
Configuration Common-emitter, 8-channel sink driver —
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 50 V —
Continuous Collector Current (per channel) 500 mA 500 mA
Package Power Dissipation 760 mW (DIP-18) —
DC Current Gain (hFE) Typical > 1000 (Darlington) [DATA_NEEDED: minimum hFE at rated current]
Input Base Resistor 2.7 kOhm —
Logic Input Compatibility 5 V CMOS / TTL —
Clamp Diodes Integral free-wheeling diodes on each output —
Betriebstemperatur -40C to +85C —
Montageart Through-Hole Surface Mount
Gehäuse DIP-18 (0.300 inch, 7.62 mm) 18-SOIC (DW), 7.5 mm body width
Pin-Anzahl 18 —
RoHS-Status Compliant —
Topologie — 8-channel NPN Darlington array (sink driver)
Collector-Emitter Voltage (VCEO max) — 50 V
Input Base Resistor (per channel) — 2.7 kOhm
Output Clamp Diodes — 8 integrated, common-cathode to COM pin
Logic Compatibility — TTL / 5 V CMOS (also accepts 3.3 V)
Output Saturation Voltage (VCE(sat)) — [DATA_NEEDED: typical value at rated current]
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +85 C
MSL-Level — 1 (unlimited)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Datasheet Document — ULN2803A datasheet (LRS049E family, revised July 2006 per TI)

Datenblätter & Ressourcen

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